실리콘랩스, Si828x 버전2로 절연형 게이트 드라이버 제품군 확장

새로운 Si828x, 전기차 및 다양한 산업용 애플리케이션에 최적화 실리콘랩스(Silicon Labs, 지사장 백운달)는 자사의 절연형 게이트 드라이버 제품군에 새롭게 Si828x 버전 2를 추가한다고 발표했다. 이로써 실리콘랩스는 보다 효과적으로 SiC(Silicon Carbide) FET(Field Effect Transistor) 게이트를 효과적으로 구동하는 절연형 게이트 드라이버 제품군을 통해 더 높은 전력

넥스페리아 트렌치 쇼트키 정류기, 빠른 전환이 필요한 분야의 효율 향상시켜

최고 100V, 20A의 AEC-Q101 인증 소자, 스위칭 손실을 낮추고 안전 동작 영역을 늘려줘 핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 최대 100V 및 20A 등급의 트렌치 쇼트키 정류기 포트폴리오를 확장했다. 이 소자들은 우수한 스위칭 동작과 함께 탁월한 열 성능을 특징으로 한다. 이 제품들은 기존의 SMA/SMB/SMC 소자들보다

인피니언, 정적 스위칭 애플리케이션에 최적화한 600V MOSFET 출시

MOSFET을 저주파 수로 스위칭하는 애플리케이션을 위한 고전력 제품은 전도 손실을 최소화하고 최적의 열 동작을 달성하면서, 시스템 크기와 무게를 줄이고 낮은 비용으로 최대의 품질을 달성해야 한다. 이에 따라 인피니언 테크놀로지스가 정적(static) 스위칭 애플리케이션에 최적화한 산업용 600V CoolMOS™ S7 10mΩ 제품과 자동차 등급의 CoolMOS S7A

GeneSiC, 3300V 및 1700V 1000mΩ SiC MOSFET 출시

실리콘 카바이드 (SiC) 전력 반도체 전문회사인 GeneSiC Semiconductor가 차세대 3300V 및 1700V 1000mΩ SiC MOSFET (G2R1000MT17J, G2R1000MT17D 및 G2R1000MT33J)을 공급한다. 이 SiC MOSFET은 에너지 저장, 재생 에너지, 산업용 모터, 범용 인버터 및 산업용 조명 전반에 걸쳐 전력 시스템을 개선하고 단순화하는 주력 성능 지수를

도시바, 장비 소형화와 효율 개선에 일조하는 TOLL 패키지의 650V 슈퍼 정션 파워 MOSFET 5종 출시

도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 가 650V 슈퍼 정션(junction) 파워 MOSFET 5종(TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z, TK190U65Z)을 출시했다. DTMOSVI 시리즈에 추가된 파워 MOSFET 5종 모두 TOLL(TO-leadless) 패키지로 구성되었으며 이미 양산에 돌입한 상태이다. TOLL은 일반 D2PAK 패키지에 비해 기기 내부에서 차지하는 공간을 약 27% 줄이는

GeneSiC Semiconductor, 6.5kV SiC MOSFET 베어 칩 출시

광범위한 실리콘 카바이드 (SiC) 전력 반도체의 선구자이자 글로벌 공급 업체인 GeneSiC Semiconductor가 6.5kV SiC MOSFET 베어 칩인 G2R300MT65-CAL 및 G2R325MS65-CAL공급을 시작한 이후 이 기술을 활용 한 전체 SiC 모듈을 출시했다. GeneSiC의 혁신은 SiC DMOSFET 단위 셀에 통합된 JBS (junction barrier schottky) 정류기가 있는