Tag: MOSFET

[기고] 능동 클램프 포워드 컨버터의 효율 향상을 위한 2차 정류회로의 설계 과제와 듀티 사이클 최적화의 역할

by PEMK 매거진 -
그림 4. 게이트 1 및 게이트 2 전압과 MOSFET 드레인 전압 (VIN = 60 V)

글_ 광치 호우(GuangQi Hou) 중앙 애플리케이션 담당 스태프 엔지니어, 아나로그디바이스(Analog Devices) 능동 클램프 포워드 컨버터(active clamp forward converter, ACFC)는 클램핑 회로에 P-채널 MOSFET을 활용하는 고효율 전력 변환 토폴로지로 잘 알려져 있다. 이 설계는 저장된 인덕턴스 에너지를 전력망(grid)으로 되돌려줌으로써 전체적인 변환 효율을 향상시킨다. 효율을

작년 4사분기에 900개의 새로운 SiC 특허가 출원돼

by Hordon Kim -
KnowMade Patent Monitor

특허분석기관인 KnowMade는 작년 4사분기에 SiC와 관련된 900개의 새로운 특허가 출원되었으며 400개의 특허가 승인되었다고 발표했다. 이 기간 동안 100개 이상의 특허가 만료되거나 포기되었고 7개의 주목할 만한 특허가 이전되었다. 보고서에 의하면 이 기간 동안 미국에서는 새로운 IP 소송이 없었고 유럽에서는 특허 반대가 없었다. 주목할 만한

구리 클립 CCPAK1212 패키지의 새로운 80V 및 100V 전력 MOSFET 제품군

by 이철민 기자 -
넥스페리아 제품 이미지

핵심 반도체 전문업체 넥스페리아(Nexperia)가 업계 최고의 전력 밀도와 탁월한 성능을 제공하는 구리 클립 CCPAK1212 패키지의 새로운 80V 및 100V 전력 MOSFET제품군 16종을 출시했다. 이 혁신적인 구리 클립 설계는 높은 전류 전도, 감소된 기생 인덕턴스 및 우수한 열 성능을 제공한다. 이러한 특징으로 인해 이

NoMIS Power의 SiC MOSFET 제품군

by Hordon Kim -

NoMIS Power의 SiC 기술은 민첩한 팹리스 모델 및 맞춤형 서비스 지원과 결합된 새로운 설계 및 패키징 아키텍처를 특징으로 한다. 이 회사가 앞선 SiC 기술을 이용해 최근 보다 견고한 고신뢰도의 기능의 1200 V SiC MOSFET 제품군을 내놓았다. 사용자 정의 가능한 성능을 제공하는 이 제품들은

[New] 400, 800V EV 아키텍처용 SiC 전력 반도체

by Hordon Kim -

차세대 GaNFast™ 질화갈륨(GaN) 및 GeneSiC™ 탄화규소(SiC) 전력 반도체 분야의 전문업체인 Navitas Semiconductor가 D2PAK-7L(TO-263-7) 및 TOLL(TO-Leadless) 표면 실장(SMT) 패키지의 3세대 자동차 인증 SiC MOSFET 포트폴리오를 출시했다. Navitas의 독점적인 ' 트렌치 지원 플래너 ' 기술은 온도에 따라 업계 최고의 성능을 제공하고 전기 자동차(EV) 충전, 견인 및 DC-DC 변환을

온세미, 엘리트SiC M3e MOSFET 출시

by PEMK 매거진 -
Onsemi, EliteSiC M3e MOSFET

최신 EliteSiC M3e MOSFET, 전력 소모가 많은 애플리케이션에서 에너지 효율 크게 향상 온세미, 2030년까지 다양한 차세대 SiC 도입 계획 발표 지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미가 최신 세대 실리콘 카바이드(SiC) 기술 플랫폼인 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) M3e MOSFET 도입을 발표했다. 이와 함께

인피니언, AI 서버 전원공급장치의 전력 밀도와 효율 향상 위한 ‘CoolSiC™ MOSFET 400V’ 출시

by PEMK 매거진 -

인공지능(AI) 프로세서의 전력 요구량이 증가함에 따라 서버 전원공급장치(PSU)는 서버 랙의 지정된 규격을 넘지 않으면서 점점 더 많은 전력을 제공해야 한다. 이는 2020년대 말까지 칩당 2kW 이상을 소비할 수 있는 고급 GPU의 에너지 수요 급증에 따른 것이다. 이러한 필요와 더불어, 갈수록 더 까다로운

넥스페리아, 산업용 SiC MOSFET 시장으로 진출

by PEMK 매거진 -

핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을

Infineon’s CoolSiC™ XHP™ 2 high-power modules enable energy-efficient electrified trains to promote decarbonization

by PEMK 매거진 -
Infineon's CoolSiC™ XHP™ 2 high-power module

Infineon's CoolSiC™ XHP™ 2 high-power module To meet global climate targets, transportation must shift to more environmentally friendly vehicles such as energy-efficient electrified trains. Trains, however, have demanding operating profiles with frequent acceleration and braking, while being expected to operate reliably over a

ZF, ST마이크로일렉트로닉스와 SiC 디바이스 다년 공급 계약

by PEMK 매거진 -
Next Generation Mobility of ZF

2025년부터 시리즈 생산에 들어가는 ZF의 차세대 모듈식 인버터 플랫폼에 ST의 실리콘 카바이드 디바이스 통합 예정 ST, ZF에 실리콘 카바이드 디바이스 (SiC) 공급키로 모빌리티 기술 그룹인 ZF가 다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)의 실리콘 카바이드(SiC; Silicon Carbide) 디바이스를 2025년부터 구매한다.