가트너 "2027년까지 국가 35% AI 독립", GDP 1% 쏟는 '인프라 전쟁' 발발 전기 먹는 하마 AI 데이터센터, SiC·GaN 반도체로 '에너지 다이어트' 사활 지정학적 리스크와 데이터 거주성 요건 강화로 인해 2027년까지 소버린 AI 전환율이 35%로 급증할 것으로 보이며, 이에 따라 국가별 데이터센터 인프라 및
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ST, 범용 하프 브리지 GaN 드라이버로 저전압 설계 혁신
20V 지원·통합 부트스트랩·최적화된 보호기능 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210 및 STDRIVEG211을 출시했다. STDRIVEG210과 STDRIVEG211은 최대 220V의 레일 전압에서 동작하며, 6V 하이사이드·로우사이드 게이트 신호를 제공하는 내장 선형 레귤레이터, 보호 기능, 분리된 싱크/소스 구동으로 특징을 가진다. STDRIVEG210은 서버, 통신 전원공급, 배터리 충전기, 태양광 인버터, 어댑터, LED 조명, USB-C 파워 소스 등 넓은 전력
[기고] 통합 TOLL 패키지형 GaN 소자를 이용한 전원 공급 장치 설계 혁신 방안
뛰어난 효율과 전력 밀도를 제공하는 차세대 GaN 전력 디스크리트
피라미드형 GaN 마이크로 LED를 아시나요?
Navitas delivers more power for AI & EV with sxtended GaNSafe™ portfolio
Navitas Semiconductor, the only pure-play, next-generation power semiconductor company and industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs and silicon carbide (SiC) technology, has announced that its high-power GaNSafe family is now available in a TOLT (Transistor Outline Leaded Top-side cooling) package. The
[New] 최고 전력 밀도의 DCDC 컨버터
QROMIS is recognized with Global Enabling Technology Leadership Award for Addressing Cost and Reliability Challenges in the GaN Semiconductors Market
Frost & Sullivan recently researched the GaN semiconductors industry and, based on its findings, recognizes QROMIS with the 2024 Global Enabling Technology Leadership Award. QROMIS is a world-class advanced semiconductor technologies provider that offers high-performance materials solutions to help global businesses enhance their digital transformation,
