Weebit scales down its ReRAM technology to 22nm

Weebit Nano, a specialist developer of next-generation memory technologies for the global semiconductor industry, together with CEA-Leti, is scaling its embedded Resistive Random-Access Memory (ReRAM) technology down to 22nm – one of the industry’s most common process nodes. The two companies are designing a full

ST, Leti와 10배 빠른 FD-SOI UWVP DSP 시연

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 CEA-Leti와 28nm 초박형 바디 산화막(ultra-thin body buried-oxide, UTBB) FD-SOI 기술 기반 초광대적 전압 범위(ultra-wide-voltage range, UWVR) 디지털 신호 프로세서(DSP)를 성공적으로 시연했다고 밝혔다.   이 칩은 ST가 28nm UTBB 완전공핍형 실리콘-온-인슐레이터(FD-SOI) 프로세스 기술로 제조했으며 0V에서 +2V의 바디 바이어스 전압 스케일링을 허용하고 최소