EPC doubles performance of 200 V eGaN FET family

EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs, advances the performance capability while lowering the cost of off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2215 and EPC2207 200 V eGaN FETs. The applications

98% 이상의 효율을 달성한 eGaN FET 기반 소형 48V ~ 6V, 900W LLC 공진형 컨버터

컴퓨팅 및 통신 시장이 빠르게 확장하면서 중간 버스 컨버터를 위한 보다 소형의 효율적이고, 높은 전력밀도의 솔루션이 요구되고 있다. 이 중 LLC 공진형 컨버터는 높은 전력밀도와 고효율을 제공하는 솔루션으로 주목받고 있다. 매우 낮은 온-저항과 기생 커패시턴스를 가지고 있는 eGaN FET는 Si MOSFET을 사용할