Author: Hordon Kim

Hordon Kim is an international editor at Power Electronics Magazine. He covers global news and events in English and runs a consulting agency in Korea.

AI 시대로 진입한 전력 SiC 전력 반도체 시장

by Hordon Kim -

파워 SiC는 더 이상 자동차 분야에만 국한되지 않는다. AI 데이터 센터의 등장으로 전기차, 신재생 에너지, 에너지 저장 장치 분야에서 수요가 증가하고 있어 이 시장을 더욱 다양화하고 탄력적으로 만드는 추세이다. 특히 AI는 데이터 센터의 전력 수요를 전례 없이 증가시키고 있다. 이에 따라 새로운 전력

SiC 전력 소자 및 모듈 특허, 중국에서 활발해

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올해 1분기 동안 SiC 기술 관련 특허 활동은 기판 및 에피택셜 웨이퍼 뿐 아니라 전력 소자 및 모듈등 모든 부문에서 활발하게 진행되었다. 시장조사기관인 KnowMade의 최신 발표에 의하면 2026년 2026년 1분기 동안 460건 이상의 신규 특허가 공개되었는데 이 중 350건 이상은 SiC 전력 소자

Arrow와 CoreStaff Online, 로옴의 SiC MOSFET의 상면 방열 패키지 제품 판매해

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xEV의 충전 속도 향상 및 주행 거리 연장을 위해 메인 인버터뿐만 아니라 OBC나 전동 컴프레서와 같은 전력 변환 회로에도 SiC 소자의 채용이 확대되고 있다. 또한, 산업기기 분야에서도 고성능 서버 전원 및 PV 인버터 등의 고효율 동작에 기여하는 SiC 소자스의 탑재가 가속화되는 추세이다. 기존의

AI 서버 및 EV 충전기용 600V SJ MOSFET 

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매그나칩반도체의 AI 서버 및 전기차 충전기(EV Charger)용 6세대 600V SJ(Super Junction) MOSFET는 36mΩ 및 37mΩ의 낮은 RDS(ON)을 구현해 전도 손실을 최소화했다. 게이트와 소스 사이에 Zener Diode를 내장해 정전기 방전(ESD)으로 인한 소자 손상을 방지해 신뢰도를 높인 이 제품은 칩 크기를 이전 세대 대비

Vishay’s standard-level 40V MOSFETs prevent false triggering and reduce noise in motor control circuits

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Vishay Intertechnology unveiled four new 40 V TrenchFET® Gen IV standard-level n-channel power MOSFETs in the 6.15 mm by 5.15 mm PowerPAK® SO-8 single package. Optimized for the noisy environments of motor control circuits, the Vishay Siliconix SIR5402DP, SIR5404DP, SIR5406DP, and SIR5408DP combine a high minimum gate-source threshold voltage of

SiTime, 르네사스의 타이밍 사업 인수

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프리시전 타이밍 분야의 반도체 솔루션 회사인 SiTime이 르네사스 일렉트로닉스의 타이밍 사업 자산 인수를 완료했다. 지난 2월에 대표적인 클럭 브랜드인 르네사스 인수 작업을 시작한 것이 결실을 맺은 것이다. 회사측은 이번 인수로 인해 향후 매출의 약 75%가 AI-데이터센터-커뮤니케이션 부문에서, 나머지는 산업 및 자동차 부문에서

마우저, TI의 차량용 배터리 모니터 공급 시작

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마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)는 TI(Texas Instruments)의 ‘bq79716b-Q1’ 차량용 16S 배터리 모니터를 공급한다. bq79716b-Q1은 최첨단 ADC(analog-to-digital converter) 아키텍처와 측정 시스템을 갖추고 있으며, 엄격한 자동차 표준 및 안전 요구사항을 충족한다. 또한 전기차(EV) 애플리케이션의 배터리 관리 시스템(battery management systems, BMS)을 위한 정확한 셀 전압 측정 기능도 지원한다. 마우저에서 구매할 수 있는 TI의 bq79716b-Q1 차량용

Innoscience automotive-grade SolidGaN® device receives CSPSD 2026 Outstanding Market Performance Award

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 Innoscience, a global leader in gallium nitride (GaN) technology and high-volume GaN manufacturing, announced that its automotive-grade SolidGaN® ISG6127ATP-Q integrated GaN power device has received the Outstanding Market Performance Award at the 2026 Conference on Semiconductor Power Devices and Integrated Circuits (CSPSD 2026). As one of China's leading

미국 국제무역위원회(ITC), 중국 이노사이언스 GaN 칩 금지 조치 지속

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최근 뮌헨 지방법원이 중국 반도체 제조업체 이노사이언스와의 GaN 특허 침해 소송에서 인피니언의 손을 들어준 데 이어, 미국 국제무역위원회(US ITC) 전체위원회가 2026년 5월 7일에 내린 이전 판결이 위원장 검토 기간 종료 후 확정되었다. 이번 판결은 이노사이언스가 인피니언의 GaN 기술 관련 특허를 침해했음을 확정한 것이다.