CATL이 시험 가동을 시작하는 데 필요한 모든 전제 조건을 충족함에 따라, 2026년 9월 22일 데브레첸에 신설된 셀 공장에서 시험 생산을 시작한다. 시험 생산의 목적은 양산 시작에 앞서 생산 장비와 제조 공정을 구축, 최적화 및 검증하는 것이다. CATL 데브레첸은 환경 문제뿐만 아니라 직원들의
Author: Hordon Kim
Hordon Kim is an international editor at Power Electronics Magazine. He covers global news and events in English and runs a consulting agency in Korea.
산업용 고서지 전류 내량 3300V SiC MOSFET 모듈
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NoMIS Power demonstrated the 6.5KV SiC MOSFETs successfully last month. While the company’s MOSFET portfolio scales from 3.3KV (in production) through the demonstrated 6.5KV device, the highest voltage classes – 10KV and above – increasingly favor SiC insulated-gate bipolar transistor (IGBT) architectures
Future Electronics, 파나소닉의 릴레이 제품 대거 유통
Diodes’ field-plated Super Barrier Rectifier® devices feature industry-leading efficiency and reliability in automotive systems
Diodes unveiled a new family of automotive-compliant* field-plated Super Barrier Rectifier (SBRFP) products that include the 2A SBRFP2M60P1Q and SBRFP2M60SAFQ, 3A SBRFP3M60SAFQ, and 8A SBRFP8A60P5Q. Serving as drop-in replacements for comparable Schottky and PN junction diodes, the SBRFP devices feature industry-leading ultra-low