Author: Hordon Kim

Hordon Kim is an international editor at Power Electronics Magazine. He covers global news and events in English and runs a consulting agency in Korea.

[Hot] 정격 최대 출력 630kW의 전력 변환 시스템

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배터리 에너지 저장 시스템(BESS)은 전력 변환 시스템(PCS)이 주로 스토리지 요소 사이에 연결되는 DC 배터리 팩 역할을 한다. AC 전력망은 통제되고 안전하며 효율적인 양방향 전력 전환을 가능하게 한다. 이튼의 정격 최대 출력 630kW Eaton xStorage 93PCS는 일반적인 상업용 및 산업용 BESS에 적합하다. On/Off 그리드

태양광+GaN=전기차 충전 방식의 혁신

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영국에 소재한 닛산 유럽 기술 센터의 주도로 정부 지원을 받는 1천만 파운드 규모의 혁신적인 연구 프로젝트가 주목받고 있다. 프로젝트 SUITE(Smart Use of Integrated Technology for EVs: 스마트 통합 기술 활용을 통한 전기차 보급)로 명명된 이 이니셔티브는 가정용 에너지 및 공공 충전 비용 상승 문제를 해결하고 전기차의 효율성, 경제성 및 지속가능성을 향상시키는 것을 목표로

GaN MMIC 설계 위험 감소시키는 워크플로우

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키사이트 테크놀로지스(Keysight Technologies)와 윈 세미컨덕터스(WIN Semiconductors)가 GaN MMIC 설계 업체들이 첫 번째 시도에서 테이프아웃에 성공할 수 있도록 지원하는 공동 MMIC 설계 워크플로우를 내놓았다. 이 워크플로우는 온칩 멀티 도메인 시뮬레이션, 검증을 포함한 3D 레이아웃, 그리고 오프칩 MMIC 평가 보드 설계를 단일 환경으로 통합한다. 이로써

차세대 전기차 성장을 견인하는 800V 플랫폼

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시장조사기관인 트렌드포스가 전기차 구동 인버터 보고서를 발표했다. 이에 의하면 업계에서 전통적으로 가장 비수기인 2026년 1분기에 전 세계 설치량이 약 682만 대에 달해 2025년 같은 기간의 669만 대보다 1.9% 증가한 것으로 나타났다. 이 수치는 계절적 수요 감소에도 불구하고 전기차 전환 추세가 여전히 강세를

Hackster, Infineon과 함께 글로벌 PSOC™ Edge 교육 캠페인 개시

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Avnet 커뮤니티인 Hackster가 Infineon과 협력하여 엔지니어, 개발자, 기술자들이 PSOC™™ Edge 기술을 탐색할 수 있도록 초대하는 새로운 글로벌 교육 캠페인과 콘테스트를 시작했다. 12주간의 여정 동안 참가자들은 엄선된 학습 모듈과 퀴즈를 통해 인피니언의 PSOC™ Edge MCU를 활용한 AI 기반 애플리케이션을 설계, 개발, 배포하는 실질적인 전문성을

로옴의 승강압 전원 IC, 디스티 통해 유통 개시

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로옴은 승강압 전원 IC 'BD83070GWL'은 2019년 제품화 이후 업계를 리드하는 고효율 초저소비 전류 성능을 통해 배터리 구동 어플리케이션의 성능 향상에 기여해 왔다. 로옴이 최근에 최첨단 어플리케이션에 한층 더 적합한 솔루션으로 초소형 실장 면적을 실현한 'BD83070GWL 레퍼런스 기판'은 2026년 6월부터 공급이 개시되었다. CoreStaff Online

트리나솔라, 페로브스카이트•실리콘 탠덤 모듈 907W 달성…세계 최고 출력 기록

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글로벌 스마트 태양광 및 에너지 솔루션 기업 트리나솔라(Trinasolar)가 자체 개발한 페로브스카이트•결정질 실리콘(perovskite/crystalline silicon) 탠덤 태양광 모듈이 최대 출력 907W와 모듈 효율 29.2%를 달성했다고 밝혔다. 해당 성능은 글로벌 시험•인증기관인 TÜV SÜD의 검증을 거쳤다. 이번 성과는 현재까지 발표된 페로브스카이트•실리콘 탠덤 모듈 가운데 세계 최고 출력

국내 reGaN 기술, 세계 최초 742GHz GaN HEMT 구현

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IVWorks의 독자적인 reGaN 선택적 재성장 기술을 적용한 GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)가 세계 최초로 최대 주파수(fmax) 700GHz를 돌파했다 . 경북대학교 전자공학과 김대현 교수 연구팀이 개발한 45nm GaN HEMT 소자를 통해 달성된 이 성과는 지난 달 개최되었던 VLSI 심포지엄 2026에서 공개되었다. 연구팀은 게이트 길이가 45nm인

 SiC 칩 내장 패키징 기술

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 USI(Universal Scientific Industrial) 기판 및 모듈 통합 기술을 활용해 실리콘 카바이드(SiC) 다이를 다층 ABF 기판에 내장하는 첨단 전력 반도체 패키징 기술을 내놓았다. 이 기술은 세라믹 기판 절연 및 와이어 본딩이 없는 구조를 업계 표준 전력 패키지에 통합하는 단면 구리 노출(SSC) 모듈 패키징을

근거리 전력 전송을 위한 공진형 무선 충전

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공진형 무선 충전은 시스템이 온도를 모니터링하고 그에 따라 전력을 조절함으로써 배터리 셀의 수명을 유지한다. 스마트 펌웨어는 제한을 설정하고 설정값을 협상하며 조건 변화에 따라 전류를 점진적으로 감소시킨다. 따라서 잘 설계된 플랫폼은 세심하게 관리되는 유선 충전 방식과 유사한 배터리 수명을 제공한다. 공진형 무선 충전은 더욱