로옴의 제4세대 SiC MOSFET, Hitachi Astemo의 전기자동차용 인버터에 채용

로옴의 제4세대 SiC MOSFET, Hitachi Astemo의 전기자동차용 인버터에 채용

 

탈탄소 사회의 실현을 위해 자동차의 전동화가 가속화되는 상황에서 한층 더 고효율로 소형 경량화된 전동 파워 트레인 시스템의 개발이 추진되고 있다.

특히 EV의 경우, 주행 거리 연장 및 탑재 배터리의 소형화를 위해 구동의 중핵을 담당하는 인버터의 고효율화가 과제로 중요시되어 SiC 파워 소자가 주목받는 추세다.

2010년에 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산을 개시한 로옴은 업계를 리드하는 SiC 파워 소자의 기술 개발을 추진해 왔다. 로옴의 제4세대 SiC MOSFET 및 게이트 드라이버 IC는 최근 일본을 대표하는 자동차 부품 메이커 Hitachi Astemo 의 전기자동차용 인버터에 채용되었다.

그 중에서 최신 제4세대 SiC MOSFET는 단락 내량 시간을 개선하여 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현한 소자이다. 차량용 인버터에 탑재하는 경우 IGBT 대비 6%의 전비를 개선 (국제 규격 「WLTC 연비 시험」 산출 시)할 수 있는 등 전동차의 주행 거리 연장 등에 크게 기여한다.

Hitachi Astemo는 장기간에 걸쳐 자동차용 모터 및 인버터의 첨단 기술 개발을 추진하고 있으며 보급이 가속화되는 EV용으로도 공급량을 늘리고 있다. 이 회사는 인버터의 한차원 높은 성능 향상을 목표로 메인 인버터 회로부에 처음으로 SiC 파워 소자를 채용했다. 이 인버터는 일본 자동차 메이커를 시작으로 2025년부터 일본 국내외 자동차 메이커에 순차적으로 공급될 예정이다.

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