ST마이크로일렉트로닉스, 600V 고효율 수퍼정션 MOSFET 출시

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 중전력 공진(Medium-Power Resonant) 및 하드-스위칭(Hard-Switching) 컨버터 토폴로지의 효율을 높일 수 있게 설계된 600V 수퍼정션(Super-Junction) 트랜지스터 MDmesh™ M6 시리즈를 출시했다.

600V 수퍼정션(Super-Junction) 트랜지스터 MDmesh™ M6 시리즈

600V 수퍼정션(Super-Junction) 트랜지스터 MDmesh™ M6 시리즈

신제품 트랜지스터는 소프트 스위칭에 최적화된 임계값 전압을 갖췄다. 따라서 에너지 소모에 민감한 애플리케이션의 LLC 공진 컨버터 및 부스트-PFC 컨버터에 매우 적합하다. MDmesh M6 디바이스는 경부하 효율을 향상시키는 커패시턴스 프로파일과 높은 스위칭 주파수를 허용하는 16nC의 낮은 게이트 전하(Qg)를 통해 하드-스위칭 토폴로지에서도 효율적으로 동작한다.

또한 ST의 최첨단 M6 수퍼정션 기술로 RDS(ON)을 0.036Ω까지 줄임으로써 배터리 충전기, 전원 어댑터, PC 전원공급장치, LED 조명 드라이버, 통신 및 서버 전원공급장치, 태양광 마이크로 인버터 등과 같은 장비의 전력밀도를 높이고, 추가적인 효율 향상이 가능하다.

패키지 옵션으로는 공간을 절감하면서 열 효율을 높여주는 새로운 무연 TO-LL뿐만 아니라 DPAK, D2PAK, TO-220, TO-247, PowerFLAT™을 비롯한 일반적인 스루홀(through-hole)과 표면실장(surface-mount) 패키지도 제공된다. JEDEC-공인TO-LL 파워-패키지는 기존 D²PAK 7-핀 보다 풋프린트가 30% 더 작고 높이가 50% 더 낮아 보다 소형의 공간 효율적인 전력 컨버터를 구현할 수 있다. 또한 TO-LL은 낮은 기생 인덕턴스를 통해 EMI(Electromagnetic Interference)를 최소화할 수 있다.

보다 자세한 정보는 www.st.com/stpower에서 확인할 수 있다.

박은주 기자 news@icnweb.co.kr

 

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