TI, 최대 10kW 애플리케이션을 지원 600V GaN FET 포트폴리오 출시

TI, 최대 10kW 애플리케이션을 지원 600V GaN FET 포트폴리오 출시

고전압 GaN FET로 산업용 및 통신 애플리케이션에서 전력 밀도 두 배 높여

텍사스인스트루먼트(이하, TI)는 최대 10kW 애플리케이션을 지원할 수 있는 즉시 사용 가능한 600V 질화갈륨(GaN), 50mΩ 및 70mΩ 전력단 포트폴리오를 새롭게 출시했다고 밝혔다. 개발자는 LMG341x 제품군을 사용하여 AC/DC 전원 공급 장치, 로봇, 재생 에너지, 그리드 인프라, 통신 및 개인용 전자제품 애플리케이션에서 실리콘 FET(field-effect transistors)보다 더 작고 효율적이며, 고성능의 설계가 가능하다.

TI의 고전압 GaN FET

2,000만 시간 디바이스 신뢰성 테스트 거친 드라이버 및 보호 기능이 통합된 TI의 고전압 GaN FET

TI의 GaN FET 디바이스 제품군은 고유 기능과 보호 기능을 통합하여 고전압 전원 공급 장치 설계를 간소화하면서 시스템 신뢰성을 높이고 성능을 최적화함으로써 기존의 캐스케이드 및 독립형 GaN FET에 대한 지능적인 대안을 제공한다. 이들 제품은 100ns 미만의 전류 제한 및 과열 감지 기능을 통합하고 있어 의도하지 않은 슛스루 현상으로부터 디바이스를 보호하고 열 폭주를 방지하며, 시스템 인터페이스 신호로 자체 모니터링 기능을 수행한다.

LMG3410R050, LMG3410R070 및 LMG3411R070의 주요 기능 및 장점

1) 더 작고 더 효율적인 솔루션
TI의 통합 GaN 전력단은 실리콘 MOSFET(metal-oxide semiconductor field-effect transistors)에 비해 전력 밀도를 두 배 증가시키고, 손실은 80% 감소시킨다. 각 디바이스는 고속 1MHz 스위칭 주파수 및 최대 100V/ns 슬루율을 지원한다.

2) 시스템 신뢰성
이 포트폴리오는 가속 테스트 및 애플리케이션 내 하드 스위치 테스트를 포함해 2,000만 시간 디바이스 신뢰성 테스트를 거쳐 검증된다. 또한 각 디바이스는 슛스루 및 단락 회로 조건에 대한 열 및 고속, 100ns 과전류 보호 기능을 통합하고 있다.

3) 모든 전력 레벨에 적합한 디바이스
포트폴리오의 각 디바이스는 50mΩ 또는 70mΩ의 GaN FET, 드라이버 및 보호 기능을 통합하여 100W미만에서 10kW의 애플리케이션을 위한 단일 칩 솔루션을 제공한다.

한편, TI는 2018년 11월 13일부터 16일까지 독일 메세 뮌헨에서 개최하는 일렉트로니카 2018(electronica 2018)에서 10kW 클라우드 지원 그리드 링크를 시연한다. TI와 지멘스가 공동 개발해 직접 선보이는 데모는 드라이버 및 보호 기능을 통합한 TI의 LMG3410R050 600V GaN FET를 사용해 99% 효율을 달성하고 기존 실리콘 설계에 비해 최대 30%까지 전력 부품 크기를 줄일 수 있다.(홀 C4 – 부스 131)

답글 남기기

이메일은 공개되지 않습니다. 필수 입력창은 로 표시되어 있습니다.

Loading…
Loading…
Advertisements  |  Info: There are no items created, add some please.

뉴스 모음

Loading…

시장 및 솔루션 분석