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반도체 IP기업 킬로패스, 캐패시터없는 VLT기반 DRAM 구현으로 저전력 실현

미국 실리콘밸리 소재 반도체 지적자산(IP) 기업인 킬로패스(Kilopass)가 메모리 부문의 성장성에 집중투자하면서 캐패시터없는 DRAM을 구현해 저전력 고효율을 실현했다고 밝혔다. 찰리 쳉(Charlie Cheng) 킬로패스 최고경영자(CEO)는 “지금까지 OTP(One-Time Programmable) 메모리 기술의 선도기업으로서 명성을 쌓아온 킬로패스가 이번에 DRAM 시장에 혁신적인 기술을 선보이게 되어 기쁘다”면서 “킬로패스의 VLT 기술은 진정한 게임 체인저(Game Changer)로서, 라이선스 고객들이 자신들의 로드맵 진척을 가로막는 주요 걸림돌을 […]

삼성전자, 세계 최초 차세대 ‘20나노 8기가비트 모바일 D램’ 양산

삼성전자, 세계 최초 차세대 ‘20나노 8기가비트 모바일 D램’ 양산 삼성전자가 모바일 D램의 20나노 시대를 본격화한다. 삼성전자가 세계 최초로 20나노 공정을 적용한 차세대 ‘8기가비트(Gb) LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)’ 모바일 D램을 양산하며 ‘4기가바이트(GB) 모바일D램 시대’를 열었다. ‘20나노 8기가비트 LPDDR4’ 모바일 D램은 1기가바이트 (8Gb = 1GB) 칩 4개로 모바일 D램 최대 용량인 4기가바이트를 구성할 수 있는 […]

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