반도체 IP기업 킬로패스, 캐패시터없는 VLT기반 DRAM 구현으로 저전력 실현

찰리 쳉(Charlie Cheng) 킬로패스 최고경영자(CEO)

미국 실리콘밸리 소재 반도체 지적자산(IP) 기업인 킬로패스(Kilopass)가 메모리 부문의 성장성에 집중투자하면서 캐패시터없는 DRAM을 구현해 저전력 고효율을 실현했다고 밝혔다. 찰리 쳉(Charlie Cheng) 킬로패스 최고경영자(CEO)는 “지금까지 OTP(One-Time Programmable) 메모리 기술의 선도기업으로서 명성을 쌓아온 킬로패스가 이번에 DRAM 시장에 혁신적인 기술을 선보이게 되어 기쁘다”면서 “킬로패스의 VLT 기술은 진정한 게임 체인저(Game Changer)로서, 라이선스 고객들이 자신들의 로드맵 진척을 가로막는 주요 걸림돌을 제거할 수 있는 새로운 DRAM 아키텍처로 나아갈 수 있게 해준다. 또한 VLT는 공간 효율적이고 제조공정이 훨씬 간단해 비용 절감은 물론이고, 전력 소비를 대폭 줄일 수 있을 뿐 아니라 성능은 더욱 높일 수 있다. 경쟁이 치열한 DRAM 시장의 판도를 바꿀 수 있는 그야말로 혁신적인 기술”이라고 강조했다. 찰리 쳉은 특히 ”보는 관점에 따라 다르겠지만, 현재의 SNS 붐을 통해 페이스북, 인스타그램, 트위터와 같은 업체들이 빅데이터 처리와 가상화, 머신러닝 등을 위해

삼성전자, 세계 최초 차세대 ‘20나노 8기가비트 모바일 D램’ 양산

삼성전자, 세계 최초 차세대 ‘20나노 8기가비트 모바일 D램’ 양산 삼성전자가 모바일 D램의 20나노 시대를 본격화한다. 삼성전자가 세계 최초로 20나노 공정을 적용한 차세대 ‘8기가비트(Gb) LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)’ 모바일 D램을 양산하며 ‘4기가바이트(GB) 모바일D램 시대’를 열었다. ‘20나노 8기가비트 LPDDR4’ 모바일 D램은 1기가바이트 (8Gb = 1GB) 칩 4개로 모바일 D램 최대 용량인 4기가바이트를 구성할 수 있는 제품으로 기존 LPDDR3 제품보다 2배 빠르게 데이터를 처리하면서도 소비전력을 최대 40% 절감할 수 있다. 삼성전자는 업계 유일하게 20나노 공정을 적용해 서버용, 모바일용 8기가비트 D램을 생산하고 있으며, 향후 20나노 D램 라인업의 생산 비중을 더욱 높여 사업 위상을 강화하고 있다. 특히 삼성전자는 오는 1월 미국 라스베이거스에서 열리는 ‘CES 2015’에서 ‘4기가바이트 LPDDR4 모바일 D램’으로 혁신상을 수상하며, 메모리 업계에서는 유일하게 모바일D램으로 3년 연속 혁신상을 수상함으로써 차별화된 기술 경쟁력을 인정받았다. ‘8기가비트 LPDDR4’는 독자 개발한 LVSTL(Low Voltage