다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 자사의 VIPerPlus 시리즈에 소형 고전압 컨버터 IC인 VIPer31을 최신 제품으로 추가했다고 밝혔다. 이 강력한 전력 컨버터 솔루션은 탁월한 신뢰성을 제공하고, 에너지 절약을 위한 친환경 설계 표준을 충족하는 동시에, 부품원가(BoM)를 절감하도록 해준다.
VIPer31은
EV 전력 아키텍처의 중간 에너지 저장 장치 제거
순수 전기 차량(EV) 및 하이브리드 차량의 전력 아키텍처에서는 다양한 전압으로 전력을 저장 및 분배하여 다양한 하위 시스템(감지, 제어, 안전 및 인포테인먼트 등)에 전력을 공급한다. 이러한 전력 저장 및 전력 공급 네트워크에서는 비용, 공간 및 무게
특허 기술 포트폴리오를 기반으로 모듈식 전력 부품 및 완전한 전력 시스템을 설계, 제조하는 업체인 바이코(Vicor)가 데이터센터, 자동차, 산업용 시장의 기존 12V 부하에서 고성능 48V 전력분배 네트워크를 신속하게 구축할 수 있는 DCM3717 컨버터를 출시했다. 이 디바이스는 전력 시스템의 크기와 무게를 크게 줄이면서도 높은
블루투스 저에너지 및 PoE 기능이 탑재된 멀티채널 플랫폼으로 획기적인 에너지 효율과 사용자 편의성 제공
에너지 효율 혁신을 주도하는 온세미컨덕터가 PoE(Power over Ethernet) 및 초저전력 블루투스 저에너지(Bluetooth® Low Energy) 연결은 물론, AC/DC 및 DC/DC 전력 변환 설계에 대한 자사의 전문성을 기반으로 하는 ‘커넥티드 라이팅
다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 모든 부하에서 최대 95%의 고효율을 유지하고, 온칩 동기식 MOSFET을 통합해 외부 부품 수를 줄이면서 설계를 간소화해주는 고집적 동기식 38V/3A DC/DC 컨버터인 L6983을 출시했다.
L6983 컨버터는 17µA에 불과한 매우 낮은 대기전류를 소모한다.
몰렉스, CP-6.5 버전의 와이어-투-보드ㆍ 와이어-투-와이어 솔루션 출시
커넥터 솔루션이 사용자 편의성을 한층 강화하고 나섰다. 누구나 쉽게 커넥터를 실수없이 체결할 수 있도록 커넥터에 컬러를 입힌 것이다. 특히 커넥터마다 여러 색깔로 식별이 가능해, 컬러가 다른 제품들끼리 서로 체결이 되지 않기 때문에 올바르고 쉬운 체결이 가능하다.
글로벌
어드밴시드 에너지(Advanced Energy)의 자회사인 아티슨 임베디드 파워(Artesyn Embedded Power; 이하 아티슨)은 새로운 1,300W 쿼터-브릭 DC-DC 컨버터인 BDQ1300을 발표했다고 밝혔다.
새롭게 발표한 제품은 통신, 컴퓨팅 및 서버 적용을 위한 최고 효율의 온보드 12V 출력을 옵션형 디지털 제어로 제공한다. BDQ1300은 효율이 97%를 초과하는 비절연 포인트-오브-로드(Point-of-Load)
국제 항공 전자 장치 공급사, GaN 기반의 전력 밀도 증가로 경쟁 제품 능가
트랜스폼(Transphorm Inc.)의 고객사인 AES항공전기/전자시스템(AES Aircraft Elektro/Elektronik System GmbH)이 최초로 650V GaN 기반 전원 공급 소자를 출시했다고 트랜스폼이 발표했다.
트랜스폼은 최상의 안정성을 갖추고 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 및 AEC-Q101 인증을 최초로 획득한 고전압 질화갈륨(GaN) 전력
아티슨(Artesyn Embedded Power)가 GaN(갈리움 니트라이드) 전력 증폭기에 최적화한 500W 쿼터 브릭 DC-DC 컨버터 모듈을 새롭게 출시했다.
업계 표준 쿼터 브릭 형식으로 구성된 AGQ500 시리즈는 피크 효율이 95% 이상이고 광범위한 입력 범위는 36-75V이다. 50V 공칭 출력 모델(AGQ500-48S50)은 BTS(고전력 무선 기지국) 구축에 사용되는 GaN 기술의 증가하는
컴퓨팅 및 통신 시장이 빠르게 확장하면서 중간 버스 컨버터를 위한 보다 소형의 효율적이고, 높은 전력밀도의 솔루션이 요구되고 있다. 이 중 LLC 공진형 컨버터는 높은 전력밀도와 고효율을 제공하는 솔루션으로 주목받고 있다. 매우 낮은 온-저항과 기생 커패시턴스를 가지고 있는 eGaN FET는 Si MOSFET을 사용할
