아나로그 디바이스, 고속 60V 보호 하이사이드 N채널 MOSFET 드라이버 출시

ADI, 60V 하이사이드 N채널 MOSFET 게이트 드라이버

최근 리니어 테크놀로지를 인수한 아나로그 디바이스는 최대 60V 공급 전압까지 동작하는 고속, 하이사이드 N채널 MOSFET 드라이버 신제품 LTC7003을 출시했다고 밝혔다. 이 제품의 내부 차지 펌프는 외부 N 채널 MOSFET 스위치를 완벽하게 구동하여 항상 온(ON) 상태를 유지할 수 있도록 한다. LTC7003의 강력한 1Ω 게이트 드라이버는 게이트 커패시턴스가 큰 MOSFET을 매우 짧은 전환 시간과 35ns의 전파 지연 내에 손쉽게 구동할 수 있어 고주파 스위칭과 무접점 스위치(static switch) 애플리케이션 모두에 이상적이다. LTC7003은 3.5V ~ 15V의 드라이버 공급 전압 및 3.5V ~ 60V (최대 65V abs)의 입력 공급 전압에서 동작한다. 이 제품은 외부 MOSFET 스위치와 직렬로 연결된 외부 감지 저항의 양단 전압을 모니터링함으로써 과전류 상태를 검출해낸다. 스위치 전류가 설정 수준을 넘어서는 것을 LTC7003이 감지하면, 오류 플래그(fault flag)가 작동하고 스위치는 외부 타이밍 커패시터에 의해 설정된

마우서, 파나소닉 GaN 파워 솔루션 판매 개시

파나소닉 GaN

최신 반도체 및 전자부품의 세계적 유통업체인 마우서 일렉트로닉스(Mouser Electronics)가 파나소닉의 질화 갈륨 (GaN) 솔루션의 판매에 들어간다. 최신 파워 서플라이 설계가 필요로 하는 효율성과 전력 밀도에 부합하기 위해, 많은 설계 엔지니어들이 GaN 기술과 같이 다양한 산업용 및 가전 파워-스위칭 시스템에서 시스템의 크기를 줄이고 에너지를 절약 하는데 도움이 되는 기존의 MOS 기술의 대안을 찾고 있다. 파나소닉의 GaN 솔루션은 엔지니어들이 파워 서플라이, 태양열 발전 인버터, 모터 드라이브 그리고 전기자동차 와 같은 다양한 파워 애플리케이션에서 에너지 손실을 줄이기 위해 사용할 수 있는 파워 트랜지스터, 게이트 드라이버, 그리고 평가 보드로 구성되어 있다. 마우서가 판매하게 될 파나소닉 GaN 솔루션은 질화 갈륨 화합물 실리콘 기질과 기존의 실리콘 소자보다 더 빠른 스위칭과 쉬운 소형화가 가능하도록 높은 붕괴점 전압과 낮은 전도 저항 성질의 화합물을 실리콘 기판에 구현한 것이다. PGA26E19BA GaN 표면 실장 (SMD)

인피니언, 하이엔드 산업용 세이프티 게이트 드라이버 출시

최대 1200V의 까다로운 산업용 애플리케이션을 위한 슬루율(slew rate) 제어 EiceDRIVER™ 출시 인피니언 테크놀로지스는 산업 부문 하이엔드 시스템용으로 개발된 EiceDRIVER 제품군의 단일 채널 게이트 드라이버를 출시했다고 밝혔다. 1EDS20I12SV EiceDRIVER™ Safe 드라이버 부품은 IGBT에서 실시간으로 조정 가능한 최초 슬루율 제어(SRC)를 탑재한다. 1EDS-SRC EiceDRIVER Safe의 안전한 전기 절연은 VDE 0884-10의 엄격한 규격을 준수하며, 특별히 개발된 단락 회로 보호 기능을 갖추고 있다. 이 드라이버 부품은 1200V의 높은 절연 전압의 애플리케이션에서 넓은 사용 범위와 높은 시스템 효율을 제공한다. 슬루율 제어를 통해 개발자는 턴-온 시 전체 11가지 컬렉터 이미터 전압 중 선택할 수 있다. 이것은 설계 요구사항에 따라 IGBT의 스위칭 속도와 EMI 특성을 동작 중에 유연하게 변경할 수 있다는 것을 의미한다. 빠른 IGBT 턴-온은 높은 스위칭 주파수를 가능하게 하는 반면 느린 턴-온은 모터에서의 영향으로 인한 전자기 간섭(EMI)과 전압 피크를