배터리 수명 극대화하는 엣지 AI 자산 추적 레퍼런스 디자인

초고효율 엣지 AI 반도체 기술 전문업체인 EMASS가 Bosch Sensortec과 협력해 첨단 센싱과 초저전력 엣지 AI를 결합한 지능형 자산 추적 참조 설계 개발을 발표했다. 양사가 이번에 공동 개발한 플랫폼은 배터리로 구동되는 자산 추적기가 데이터를 로컬에서 처리하고 의미 있는 이벤트만 전송하도록 해, 연속적인 원시

첨단 반도체용 금도금 탭

고주파, 고출력, 고신뢰성 패키지 설계 및 생산 전문업체인 StratEdge가 우수한 열 및 전기 성능이 요구되는 첨단 반도체용 금도금 탭을 제공한다. StratEdge의 금도금 탭은 질화갈륨(GaN) 및 금-주석(AuSn)과 금-실리콘(AuSi) 납땜을 사용하는 고출력 장치에 대한 공정 다이 부착을 지원하도록 설계되었다. 이 탭들은 온도 제한으로 인해 유기 보드에

열전 발전기 (TEG) 모듈이 열을 전력으로 변환하는 방법

저자: By Jeff Smoot (제프 스무트),  Same Sky 이 글에서는 다음과 같은 순서로 어떻게 열전 발전기(thermoelectric generator: TEG) 모듈이 열을 전력으로 변환하는지에 대해 알아본다. 목차 TEG의 정의 TEG 모듈의 정의 TEG와 TEC의 차이점 TEG의 작동 원리 TEG 모듈을 이용한 발전의 장점 TEG 모듈 사용의 한계 TEG의 주요 사양 및 성능 그래프 용도에

차세대 SoC용 지능형 전력 관리 솔루션

SoC 설계가 점점 더 복잡해짐에 따라, 더 높은 전력 밀도, 더욱 엄격한 전압 허용 오차, 그리고 향상된 열 성능을 지원할 수 있는 확장 가능한 멀티레일 전력 관리 아키텍처에 대한 수요가 증가하고 있다. 이러한 추세는 전력 관리 시장 전반의 지속적인 성장을 견인하는 요소이기도

과전압으로부터 전력 전자 시스템을 보호하기

전력 전자 시스템은 스위칭 속도 향상, 전력 밀도 증가, 재생 에너지, 고전압 직류(HVDC) 송전, 산업용 구동 장치, 철도 견인 및 에너지 저장 장치 등 다양한 분야에서의 활용 확대로 인해 점점 더 정교해지고 있다. 이러한 시스템의 성능이 향상됨에 따라 과전압 사고에 대한 취약성

모빌리티 혁신 가속화하는 운송 기술 리소스

마우저 일렉트로닉스가 모빌리티 혁신 기술에 초점을 맞춘 포괄적인 운송 리소스 센터(transportation resource center)를 통해 엔지니어를 지원한다. 시스템이 지속적으로 발전함에 따라 엔지니어들은 전력 관리, 기능 안전, 실시간 의사결정 및 인프라 통합과 관련한 복잡한 요구사항에 직면하고 있다. 이 허브는 이처럼 변화하는 과제에 설계 엔지니어가 효과적으로 대응하고,

EV 배터리 및 데이터센터 전력 분석용 고정밀 측정 모듈

글로벌 계측기 전문 기업 한국요꼬가와전기(Yokogawa Electric Korea)가 급격한 전동화 추세와 데이터센터 인프라 확장에 발맞춰, 고정밀 애플리케이션의 DC오프셋 처리와 파형 정확도를 획기적으로 향상시킨 신형 측정 모듈 2종을 출시했다. 이번에 선보인 제품은 DC 오프셋 조정 모듈 ‘720252’(1 MS/s, 16-bit)와 파워 모듈 ‘720301’로, 전기차(EV) 배터리 연구개발,

모빌리티 설계 데이터 ‘에이전틱 AI’

인공지능 전환(AX) 전문기업 몬드리안에이아이(Mondrian AI)가 글로벌 100대 자동차 부품사와 손잡고 총사업비 26억원 규모의 대형 프로젝트인 ‘글로벌 모빌리티 경쟁력 강화를 위한 Agentic AI(에이전틱 AI) 기반 설계 의사결정 지원 시스템’ 개발 사업에 착수한다. 이번 과제의 핵심 목표는 제조기업의 ‘설계 업무 효율성 극대화’다. 기존 제조 현장에서는

전기차 트랙션 인버터 제어 레퍼런스 디자인 

NXP의 EV-INVERTERGEN3 3세대 자동차용 EV 전력 인버터 제어 레퍼런스 디자인은 800V 실리콘 카바이드(SiC) 기반 트랙션 인버터에 최적화된 아키텍처를 갖추고 있으며 아래와 같은 특징을 제공한다. 처리 성능이 향상된 S32K39 MCU로 마이그레이션하여 저지연 제어 루프를 실행 FS65 SBC에서 FS26 SBC로의 마이그레이션: 저전력 기능을 갖춘 최신 세대

0V 꺼짐 시 높은 효율을 달성하는 SiC MOSFET 게이트 드라이버 설계

Darren Chen, Sr. Application Engineer, Diodes Incorporated 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 우수한 스위칭 속도, 낮은 전도 손실, 고온 성능 덕분에 고효율 및 고전력 밀도 전력 변환 시스템에서 점점 더 많이 채택되는 추세이다. 그러나 SiC 소자의 빠른 전압 슬루 속도(dV/dt)는 특히 하프브리지 및 풀브리지 토폴로지에서