동기식 벅 컨버터에서 게이트 드라이버 강도에 따른 영향

그림 3: 게이트 드라이버 강도에 따른 효율 비교

동기식 벅 컨버터에서 위상 노드 VPH의 피크 전압은 컨버터 신뢰성을 좌우하는 중요한 사양 중 하나이다. 대개 개발자들은 위상 노드 링잉을 MOSFET 데이터 시트의 절대 최대 정격의 85%~90%가 되도록 한다. 회로가 넓은 주변 온도 범위(-40°C~+85°C)에서 안전하게 동작해야 하기 때문에 컨버터의 장기적 신뢰성을 위해서 이 정도의 마진은 필요하다. 드라이버 측에서 위상 노드 링잉에 기여하는 주된 요인은 상단 MOSFET FETUPPER의 턴온 시의 게이트 드라이버 강도이다. 각기 다른 게이트 드라이버 저항값을 사용해서 컨버터에 미치는 영향을 살펴보자. 그림 1은 상단 MOSFET 게이트 드라이버 부분을 포함한 동기식 벅 컨버터를 보여준다. FETUPPER를 작동시키기 위해서는 전하가 필요하다. 이 전하는 부트 커패시터인 CBOOT로부터 제공된다. 충전 경로는 CBOOT에서 시작해서 RBOOT, 풀업 드라이버 P-MOSFET(DUP), FETUPPER 입력 커패시터를 거쳐서, 다시 CBOOT로 돌아온다. 비교를 쉽게 하기 위해서 편의상, RBOOT는 단락이고 MOSFET DUP가 FETUPPER 턴온 시에 선형적 저항으로서 동작한다고 간주하겠다. DUP 저항값이 높을수록 피크 링잉 전압은 낮고,

볼륨 시장 요구사항을 충족하는 MEMS 마이크 기술

그림 3. 마이크 전문가들이 선택한 최적의 MEMS 마이크 키트

글. 마사히토 카나야 (Masahito Kanaya), 제품 마케터, 온세미컨덕터 스마트 폰 및 태블릿 기기를 사용하는 사용자들은 계속해서 자신의 제품을 새로운 방식으로 사용할 수 있기 원하면서도 고성능의 작동도 기대하는데 온보드 오디오 기능이 이러한 대표적인 예이다. 사람들은 모임, 음악 공연을 녹화하면서 정확하고 생생한 재생을 기대하거나 야외 활동이나 이동시에도 잡음 없이 고품질의 음성 통화를 하기 원한다. 마이크를 통한 녹음을 할 때에도 당연하게 고음질을 기대한다. 이러한 트랜드에 부응하기 위해서는 고성능 마이크의 사용이 필요한데 일부 스마트 폰은 비디오 모드에서 잡음 제거 또는 3D 사운드 기능을 제공하고 있다. 게다가, 사용자의 목소리에 반응하는 지능형 디지털 보조 장치의 출현으로 인해 사용자가 컴퓨터와 상호 작용하는 방식이 변화되어 향후 웨어러블 및 IoT 기기와 같은 고성능 오디오 시스템 구축이 가능하게 되었다. 이에 따라 휴대용 기기에 사용하기 적합한 소형의 고성능 하이파이를 제공하는 MEMS(초소형 정밀 기계 체계) 마이크에 대한 사용자 요구가 높아지고 있다. 시장 조사 기관인 IHS