Infineon Technologies의 CoolSiC™ G2 탄화규소 MOSFET은 모든 일반적인 전력 체계 조합(AC-DC, DC-DC 및 DC-AC)에서 최고 품질 표준을 충족하면서 우수한 수준의 SiC 성능을 허용한다.
SiC MOSFET은 Si 대안에 비해 태양광 인버터, 에너지 저장 시스템, EV 충전, 전원 공급 장치 및 모터 구동에 추가
강화 모드 질화 갈륨(eGaN) 전력 소자 업체인 Efficient Power Conversion이 내놓은 고성능 평가 기판인 EPC91109는 컴팩트하고 열 효율적인 2상 동기식 벅 컨버터에서 eGaN® FET의 이점을 입증하도록 설계된 평가 보드이다.
최대 180W의 USB Power Delivery(USB-PD 3.1) 응용 제품을 대상으로 하는 이 EPC91109는 랩톱, 휴대용 장치
전자 응용 제품은 열을 발생시키고, 열이 과도할 경우 효율성이 떨어지고 부품의 수명이 단축되며, 심지어 열로 인한 고장으로 이어질 수도 있습니다. 팬 기반 전원 공급 장치는 많은 응용 제품에서 선호되지만, 효율성, 저소음, 안정적인 성능이 매우 중요한 응용 제품에는 적합하지 않습니다.
최적의 작동 온도를 유지하기
배터리나 PC에 연결된 USB 케이블 없이 Dracula Technologies 의 인쇄형 유기 태양광 모듈만으로 STM32U0에 전원을 공급할 수 있다. 그것이 어떻게 가능한지 의아해 하겠지만 아래 영상에서 그 내용의 확인이 가능하다.
https://www.youtube.com/watch?v=bisMkKavfWI
STM32U0의 초저전력 소모와 Dracula Technologies의 실내 유기 태양광 전지의 에너지 하베스팅 기능 덕분에 센서에서 데이터를 읽는
사물 인터넷(IoT)을 통한 데이터 통신을 위해 협대역 NB-IoT 프로토콜을 사용하는 모듈은 서비스 또는 교체 없이 가능한 한 오래 지속되어야 하는 비충전식 배터리 팩에 의존하는 경우가 많다.
수명 및 성능 요구 사항으로 인해 이러한 IoT 시스템에서 배터리 팩의 사양이 초과되는 경우가 많아 최종 설계의
TI의 TIDA-010210은 3레벨, 3상, 질화갈륨(GaN) 기반 ANPC 인버터 전력단을 구현하기 위한 설계 템플릿을 제공하는 레퍼런스 디자인이다.
고속 스위칭 전력 소자를 사용하면 100kHz의 더 높은 주파수에서 스위칭할 수 있어 필터용 자기 소자의 크기를 줄이고 전력단의 전력 밀도를 높일 수 있다.
다중 레벨 토폴로지는 최대
접합 전계 효과 트랜지스터 (JFET)는 수십 년 동안 저잡음, 고임피던스, 정밀 아날로그 회로의 필수 부품으로 사용되어 왔다. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)가 작동을 위해 베이스 전류를 필요로 하는 반면, JFET는 공핍 모드 전도 채널을 통해 전류를 조절하는 전압 제어 소자로 구별된다.
JFET는 높은 입력
노트북 컴퓨터, 휴대폰, 휴대용 무선 단말기, 하이브리드 전기 자동차/순수 전기 자동차(HEV/EV) 등 저전력 및 고전력 응용 분야 모두에서 리튬 이온(Li-ion) 배터리에 대한 수요가 높아지고 있다. 이에 따라 리튬 이온 배터리는 정확하고 신뢰할 수 있는 테스트 시스템을 필요로 한다.
아래 그림은 개방 회로 전압(OCV)이
사물 인터넷(IoT)은 산업 애플리케이션의 놀라운 변화를 이끌었다. IoT는 지능적이고 상호 연결된 운영을 가능하게 하여 프로세스를 간소화하고 안전을 개선하며 생산성을 향상시켜준다. 그러나 IoT 장치의 성공과 유용성은 주로 배터리 런타임에 달려 있다.
산업용 IoT 기기는 원격, 접근하기 어려운 환경 또는 열악한 환경에서 작동하는 경우가 많아
자동차 산업이 내연 기관(ICE)에서 완전 전기의 미래로 이동함에 따라 자동차 업체들의 질화갈륨(GaN) 반도체 채택이 늘어나고 있다.
실리콘 FET보다 성능이 훨씬 뛰어나고 실리콘 카바이드보다 저렴한 비용 기반을 제공하는 GaN 트랜지스터는 기존 재료보다 물리적으로 우수하다. 고성능 패키징을 갖춘 매우 안정적인 GaN 트랜지스터에는 D 모드와
