인피니언, TO-247PLUS 패키지를 적용한 고전력밀도 디스크리트 IGBT 출시

인피니언, TO-247PLUS 패키지를 적용한 고전력밀도 디스크리트 IGBT 출시
인피니언, TO-247PLUS 패키지

인피니언, TO-247PLUS 패키지

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 TO-247PLUS 패키지에 최대 정격 다이오드를 통합한 75A/1200V 디스크리트 IGBT를 출시했다. 새로운 TO-247PLUS 3핀 및 4핀 패키지는 전력 밀도와 효율에 대한 갈수록 높아지는 요구를 충족한다. 드라이브, 광전지, UPS(uninterruptible power supplies) 등 1200V 블로킹 전압으로 높은 전력 밀도를 요구하는 애플리케이션 및 배터리 충전, 에너지 저장 시스템에 사용하기에 적합하다.

표준 TO-247-3 패키지와 비교해서 새로운 TO-247PLUS 패키지는 두 배의 전류 정격을 제공할 수 있다. 표준 TO-247 패키지에서 나사 구멍을 없앰으로써 PLUS 패키지는 더 넓은 리드 프레임 면적을 사용할 수 있어 더 큰 IGBT 칩을 탑재할 수 있다. 인피니언은 업계 최초로 기존과 동일한 풋프린트로 다이오드를 통합한 최대 75A 용량의 1200V IGBT를 제공하게 되었다. TO-247PLUS 패키지는 더 넓은 리드 프레임으로 열 저항이 더 낮으며, 그러므로 열방출 능력이 향상되었다.

스위칭 손실을 개선하고자 하는 디자이너들을 위해서 TO-247PLUS 4핀 패키지는 추가적인 켈빈 이미터 소스 핀을 제공한다. 그러므로 인덕턴스가 극히 낮은 게이트-이미터 제어 루프를 가능하게 하고 총 스위칭 손실 E(ts) 를 20퍼센트 이상 낮추었다. 또한 TO-247PLUS 3핀 및 4핀 패키지로 제공되는1200V IGBT를 사용하여 시스템 전력 밀도를 높일 수 있다.

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