ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 자사의 저전압 전력 MOSFET 시리즈인 STripFET™ F7에 100V 자동차 등급 디바이스 3종STH315N10F7-2, STH315N10F7-6, STP315N10F7을 새롭게 추가했다. 새로운 제품들은 최적화된 바디-드레인 다이오드를 적용하여 동작 전압 범위 내에서의 전압 스파이크와 스위칭 잡음을 최소화 시킬 수 있다. 이를 통해 내구성, 안정성 및 전력 효율성이 더욱 뛰어난 설계가 가능하다.
STripFET™ F7의 제품들은 향상된 트렌치 게이트 구조를 쓰기 때문에 온상태 저항을 줄이는 한편 내부 전기용량과 게이트 전하를 동시에 줄여서 더 빠르고 전력 효율성이 우수한 스위칭 기능을 제공한다. 이번 신제품 3종의 이러한 이점을 통해 자동차 시장에서 최저의 RDS(on) x 면적 값과 턴오프 에너지(Eoff) 파라미터를 제시할 수 있을 것이다.
또한 스위칭 잡음을 최소화 시켜주는 최적화된 Crss/Ciss 정전용량 비율을 갖추었으며 적절한 다이오드의 역회복 소프트(reverse-recovery softness)를 사용하면서 EMI/EMC 방출을 감소시켜 준다. 이로 인해 외부 필터링 회로가 필요 없으므로 보드 면적과 비용이 절감된다.
이번 ST의 새로운 파워 MOSFET 제품들은 하이브리드 자동차와 전기 자동차의 DC/DC, DC/AC 및 LC 공진형 컨버터들을 비롯하여 높은 전류과 전력 밀도, 뛰어난 효율성을 필요로 하는 자동차 애플리케이션용으로 맞춤화 되어 있다.
세 디바이스 모두 AEC-Q101의 자동차 품질 인증을 획득했다. STH315N10F7-2 및 STH315N10F7-6는 부유용량(stray inductance)이 낮고 전류 용량은 높은 H2PAK 패키지로 제공되며, STP315N10F7은 표준 TO-220 패키지로 제공된다.
아이씨엔 뉴스팀 news@icnweb.co.kr
