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ST, 동급 최강 전도 효율성 제공하는 차세대 LV MOSFET 제품군 출시

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics; www.st.com)가 차세대 파워 트랜지스터 제품군STripFET™ VII DeepGATE™를 선보였다. 이 제품군은 에너지 효율성이 우수한 파워 디바이스들로 구성되어, 전기 통신, 컴퓨팅 시스템, 태양광 인버터, 산업 자동화 및 자동차 등의 환경 영향을 줄일 수 있다.


이번 STripFET VII DeepGATE MOSFET 제품들은 스위칭 효율성이 더욱 향상됐을 뿐만 아니라, 현재 출시되어 있는 80V 및 100V 제품 중 최고의 전도 효율성을 자랑한다. 또한, 시스템 전력 및 효율성 달성치를 소형 패키지에 줄어든 디바이스 수준으로 맞추었기 때문에 설계를 간소화하고 비용 및 장비 크기를 줄이는데 도움이 된다.

ST의 STripFET VII DeepGATE 기술의 핵심은 더욱 향상된 모스펫의 게이트 구조에서 찾을 수 있다. 이는 내부 커패시턴스와 게이트 충전을 줄이면서, 온(on) 상태 저항을 낮추어 더 빠르고 효율적인 스위칭이 가능하게 하는 것이다. 극한의 환경에서도 견딜 수 있는 강한 애벌런치 내구성(avalanche ruggedness)을 갖추고 있어서 자동차용 애플리케이션에도 적합하다.

아이씨엔 오승모 기자 oseam@icnweb.co.kr


 




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파워일렉트로닉스 매거진 에디터입니다.
http://powerelectronics.co.kr

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